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根据外媒 Tom's Hardware 的报道, GlobalFoundries (格罗方德)上周宣布,已经使用其12nm FinFET 工艺成功制成了高性能的 3D Arm 芯片。格罗方德表示:“这些高密度的 3D 芯片将为计算应用,如AI/ML(人工智能和机器学习)以及高端消费级移动和无线解决方案,带来新的性能和能源效率。”
据报道,格罗方德和 Arm 已经验证了3D 设计测试 (DFT) 方法,使用的是格罗方德的混合晶圆对晶圆键合。这项技术每平方毫米可支持多达 100 万个 3D 连接,使其具有高度可扩展性,并有望为 12nm 3D 芯片提供更长的使用寿命。 (IT 之家)
https://www.leiphone.com/news/201908/DnwqjeHoymipaxq6.html
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